特許
J-GLOBAL ID：200903056798151364

ウェハの接合方法、接合装置及び積層型半導体装置の製造方法

発明者：
影山 元英

影山 元英 について

, 
前田 栄裕

前田 栄裕 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (2件)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-354250
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158199
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【解決課題】積層型半導体装置をせいぞうする場合、互いのウェハを位置合わせし、重ね合わせ、加圧・加熱を行って電極どうしを接合する。この時、重ね合わせ装置から加圧・加熱装置へ重ね合わされたウェハを仮固定して搬送し、電極接合を行うとウェハ全面にわたって一様な電極接合が得られず、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。【解決手段】仮固定されたウェハを加圧装置の加圧板により再度仮固定し、搬送時に使用した仮固定力を解除する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の半導体装置が形成されたウェハを積層して積層型3次元半導体装置を製造する方法であって、 所定の回路を有する半導体装置が複数個形成されたウェハを準備するウェハ準備工程、 ウェハ上の電極を接合する電極接合工程、 ウェハ積層体を個々の半導体チップに分離するダイシング工程、 を有し、 該電極接合工程が、 積層すべきウェハをホルダに保持するウェハ保持工程、 保持されたウェハ間の位置合わせを行い、ウェハを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、 重ね合わされたウェハが位置ずれしないようにホルダ間に第1の仮固定力を加える、第1の仮固定工程、 仮固定されたウェハ積層体を搬送して加熱・加圧装置に装着する搬送工程、 ウェハ積層体を加圧・加熱装置に装着するウェハ積層体装着工程、 加圧装置の加圧板によりホルダに第2の仮固定力を加える、第2の仮固定工程、 ウェハ積層体を加熱・加圧する加熱・加圧工程 を有し、 該加熱・加圧工程では第1の仮固定力を解除する ことを特徴とする積層型3次元半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (3件)：
H01L27/00 301A ,  H01L21/02 B ,  H01L25/08 B
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)

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