ウェハホルダ、ウェハ積層方法及び積層型半導体装置製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺隆男 , 大澤圭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-158556
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339191
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【解決課題】ウェハレベルで積層型半導体装置を製造する場合、積層すべきウェハどうしの位置あわせと、少なくとも加圧処理を伴った電極接合が行われる。この位置あわせ工程と電極接合接合工程を同一装置で行うと、加圧により位置あわせ装置の調整が変化し、精度の良い位置あわせが出来なくなってしまう。そこで、位置合わせと電極接合とを別の装置で行うことが必要となる。この時、積層すべきウェハ間の位置あわせ状態を保ったままで、ウェハ対を搬送することが求められている。【解決手段】ウェハをそれぞれのウェハホルダに保持し、ウェハホルダに取りつけられた接続部材によりウェハどうしの位置関係を固定する。この時、接続部材間に働く力によって接続部材自体がウェハ面内方向に変位しないようにする。そのために、実際には2枚の平行板バネを用いて結合部材をウェハホルダに取りつける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに位置あわせされた2枚のウェハを挟み保持するウェハホルダであって、該ホルダどうしを互いに結合するための複数の結合部材と、該結合部材が実質的にホルダ面に垂直な方向にのみ変位可能であるように該結合部材を該ウェハホルダの外周部に固定する固定部材と、を有し、該結合部材は、該ウェハホルダどうしを結合状態と解放状態とに制御可能となす結合力源を有することを特徴とするウェハホルダ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/677

FI (2件)：

H01L21/02 Z , H01L21/68 A

Fターム (9件)：

5F031CA02 , 5F031DA13 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031GA10 , 5F031GA15 , 5F031MA21 , 5F031MA34 , 5F031MA35

引用特許：

出願人引用 (9件)

特許2932840号公報
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-263962 出願人：富士ゼロックス株式会社
特許3030201号公報

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