半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088390
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273762
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】メモリセルを内蔵し、ディレイドライト機能を有する半導体集積回路に関し、読み出し動作を確実に実行する。【解決手段】アドレス保持部は、書き込みコマンドとともに供給される書き込みアドレスを書き込み保持アドレスとして保持する。データ保持部は、書き込みコマンドとともに供給される書き込みデータを、書き込み保持データとして保持する。次の書き込みコマンドを受けたとき、書き込み保持データは、書き込み保持アドレスに対応するメモリセルに書き込まれる。アドレス比較部は、読み出しコマンドとともに供給される読み出しアドレスと、書き込み保持アドレスとを比較する複数のアドレス比較器を有する。アドレス比較部の比較結果が一致した場合、書き込み保持データを読み出しデータとして出力する。比較結果が一致しない場合、メモリセルからのデータを読み出しデータとして出力する。

請求項（抜粋）：

メモリセルと、書き込みコマンドに対応して供給される書き込みアドレスを書き込み保持アドレスとして保持するアドレス保持部と、前記書き込みコマンドに対応して供給される書き込みデータを、書き込み保持データとして保持するとともに、次の書き込みコマンドを受けたときに、該書き込み保持データを、前記書き込み保持アドレスに対応する前記メモリセルに書き込むデータ保持部と、読み出しコマンドに対応して供給される読み出しアドレスと、前記書き込み保持アドレスとを、複数ビットずつ比較する複数のアドレス比較器を有するアドレス比較部と、前記アドレス比較部の比較結果に応じて、前記書き込み保持データまたは前記メモリセルからの読み出しデータのいずれかを出力するデータ選択部とを備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 11/401 , G11C 11/408 , G11C 11/407

FI (4件)：

G11C 11/34 362 C , G11C 11/34 354 B , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 362 H

Fターム (6件)：

5B024AA01 , 5B024AA15 , 5B024BA25 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA16

引用特許：

出願人引用 (3件)

シンクロナスランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-326919 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178464 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-331524 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

シンクロナスランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-326919 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178464 出願人：株式会社東芝
メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330063 出願人：株式会社リコー

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