特許
J-GLOBAL ID：200903013406289788

半導体記憶装置

発明者：
内田 敏也

内田 敏也 について

, 
松崎 康郎

松崎 康郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148191
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 従来、ディレイドライト方式を適用した半導体記憶装置は、書き込み用のデータを保持するレジスタが必要となるため、チップ面積の増大およびコストアップ等の課題があった。【解決手段】 読み出し用データ線WDB,/WDBおよび書き込み用データ線を有する半導体記憶装置であって、データを前記書き込み用データ線に保持するデータ保持手段64と、該書き込み用データ線に保持しているデータをメモリセルに書き込むデータ書き込み手段63とを具備するように構成する。
請求項（抜粋）：
読み出し用データ線および書き込み用データ線を有する半導体記憶装置であって、データを前記書き込み用データ線に保持するデータ保持手段と、該書き込み用データ線に保持しているデータをメモリセルに書き込むデータ書き込み手段とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/409
FI (2件)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 R
Fターム (4件)：
5B024AA15 ,  5B024BA25 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM