特許
J-GLOBAL ID：200903056904857379

発光素子およびその製造方法

発明者：
太田 清久

太田 清久 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250983
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 安価なSn-Pbハンダによって配線基板に接続し得る発光素子を提供する。【解決手段】 p型半導体12、p型半導体に接合するn型半導体11、p型半導体上に形成される正電極51、およびn型半導体上に形成される負電極52を備える発光素子50において、負電極52および正電極51はそれぞれ、n型半導体11またはp型半導体12上のオーミックコンタクト層13、14、その上のNiからなる厚さ1000nm〜3000nmのメッキ層15、16、およびその上のAuまたはAu合金からなる厚さ40nm〜300nmのメッキ層17、18からなる。
請求項（抜粋）：
p型半導体、前記p型半導体に接合するn型半導体、前記p型半導体上に形成される正電極、および前記n型半導体上に形成される負電極を備える発光素子において、前記正電極および前記負電極がそれぞれ、前記p型半導体または前記n型半導体にオーミック接触する第1の金属層、前記第1の金属層上に形成され、NiまたはNi合金からなりかつ1000nm〜3000nmの厚みを有する第2の金属層、および前記第2の金属層上に形成され、AuまたはAu合金からなりかつ40nm〜300nmの厚みを有する第3の金属層からなることを特徴とする、発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/042 610
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/042 610
Fターム (7件)：
5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA03 ,  5F073CB23 ,  5F073FA15 ,  5F073FA21
引用特許：
審査官引用 (11件)
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