半導体装置およびMIS型電界効果トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115709
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314067
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 High-K材料を含有し、金属酸化物と同等の比誘電率を有するゲート絶縁膜を具備したMIS型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板(1)と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも1種とシリコンとを含有する絶縁膜(6)と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも1種の金属原子を含む金属酸窒化膜(7)と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極(8)とを具備するMIS型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、1019/cm3以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも1種とシリコンとを含有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも1種の金属原子を含む金属酸窒化膜と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、1019/cm3以下であるMIS型電界効果トランジスタを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/314 M , H01L 29/78 301 G

Fターム (27件)：

5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD16 , 5F058BF15 , 5F058BH03 , 5F140AA19 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BG08 , 5F140BG44 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-041343 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-267207 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-064168 出願人：株式会社東芝

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