磁電変換素子およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233849
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】樹脂で覆われ、かつ極めて小さな投影面積や薄型化を可能とし、さらに実装の良否の判定が破壊せずに各種光学的手段によって観察することが可能となる磁電変換素子と、一括して製造しうる該磁電変換素子の製造方法を提供すること。【解決手段】磁電変換素子は、基板上に磁気を感ずる半導体薄膜3と内部電極2を備え、該内部電極の上に該内部電極と同質または異質の導電性物体として金属性ボール4が形成され、かつ樹脂5により覆われ、該導電性物体の少なくとも一部が該樹脂の表面および横側面に露出しており、その露出した部分7,10が外部電極となる。

請求項（抜粋）：

基板上に磁気を感ずる半導体薄膜と内部電極を備え、該内部電極の上に該内部電極と同質または異質の導電性物体が形成され、かつ樹脂により覆われた磁電変換素子であって、該導電性物体の少なくとも一部が該樹脂の表面および横側面に露出しており、その露出部分が外部電極となることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 43/02 , H01L 43/04 , H01L 43/12

FI (3件)：

H01L 43/02 Z , H01L 43/04 , H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (10件)

磁電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166217 出願人：株式会社村田製作所
特開平2-049460
ホール素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-019882 出願人：旭化成電子株式会社

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