特許
J-GLOBAL ID：200903056989378482
低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液から得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 政久
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006325026
公開番号（公開出願番号）：WO2007-072750
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】3.0以下の比誘電率と3.0GPa以上の被膜強度(ヤング弾性率)を有し、しかも疎水性に優れた低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液に関する。 【解決手段】(1)ビス(トリアルコキシシリル)アルカン(BTASA)およびアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、または(2)ビス(トリアルコキシシリル)アルカン(BTASA)、アルコキシシラン(AS)およびテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液。 【選択図】なし
請求項（抜粋）：
高い膜強度を有し、疎水性に優れた平滑な低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液であって、
下記一般式(I)で示されるビス(トリアルコキシシリル)アルカン(BTASA)および下記一般式(II)で示されるアルコキシシラン(AS)を、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下にて40〜80°Cの温度で加水分解して得られるケイ素化合物を含むことを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (5件)：
C09D 183/04
, C09D 183/02
, C09D 5/25
, H01L 21/312
, H01L 21/316
C09D183/04
, C09D183/02
, C09D5/25
, H01L21/312 C
, H01L21/316 G
4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072BB13
, 4G072GG01
, 4G072HH30
, 4G072KK15
, 4G072MM36
, 4G072RR05
, 4G072TT30
, 4G072UU01
, 4G072UU30
, 4J038DL021
, 4J038DL051
, 4J038DL071
, 4J038DL111
, 4J038JA26
, 4J038JA62
, 4J038KA06
, 4J038MA14
, 4J038NA01
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038PA17
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BD04
, 5F058BD06
, 5F058BF46
, 5F058BH02
, 5F058BJ02
