特許
J-GLOBAL ID:200903056997201915

磁性膜およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小川 勝男 ,  木崎 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-079747
公開番号(公開出願番号):特開2005-268571
出願日: 2004年03月19日
公開日(公表日): 2005年09月29日
要約:
【課題】高周波領域においても強磁界を発生することができる磁性膜およびその製造方法、高周波領域においても記録ができる薄膜磁気ヘッドを提供すること。 【解決手段】主となる磁性膜は最小Hk0.32Oe(25.6A/m)となる膜厚200nmの88FeNiを使用し、層間材料として、同じFeNi系めっき膜で低Hkかつ低Hcを有する20wt%FeNi膜を選定した。主磁性膜が合計2μmとなる様(88FeNi/20FeNi)×10層からなる積層膜を作製した。88FeNiめっき浴においてDC電流で88FeNi膜を作製し、同一浴で続けてパルスめっきを行い20FeNi膜を作製した。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
少なくとも4層以上の厚さが50〜500nmの第1の磁性めっき薄膜と、該第1の磁性めっき薄膜の間に設けられた当該第1の磁性めっき薄膜と異なる組成で厚さが2〜10nmの第2の磁性めっき薄膜を有することを特徴とする磁性膜。
IPC (11件):
H01F10/16 ,  C22C19/00 ,  C22C38/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/16 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  G11B5/31 ,  H01F10/30 ,  H01F41/26
FI (11件):
H01F10/16 ,  C22C19/00 H ,  C22C38/00 303S ,  C25D5/10 ,  C25D5/16 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 K ,  G11B5/31 C ,  H01F10/30 ,  H01F41/26
Fターム (31件):
4K024AA01 ,  4K024AA02 ,  4K024AA03 ,  4K024AA12 ,  4K024AA15 ,  4K024AB04 ,  4K024BA15 ,  4K024BB09 ,  4K024BB14 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CB05 ,  4K024DB01 ,  4K024GA16 ,  5D033AA05 ,  5D033BA03 ,  5D033BA08 ,  5D033CA01 ,  5D033DA04 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049LC01 ,  5E049LC06
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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