特許
J-GLOBAL ID：200903008281156566

基板のメッキ方法及びメッキ装置

発明者：
平尾 秀司

平尾 秀司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276970
公開番号（公開出願番号）：特開2004-068151
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】 被メッキ面における気泡の吸着に起因してメッキ膜中に欠陥が生じることを防止する。 【解決手段】 メッキ液106中において基板101を高速で回転させることにより、基板101の被メッキ面であるCuシード膜104の表面に吸着している気泡105を除去する。その後、メッキ液106中において基板101を低速で回転させることにより、Cuシード膜104の上にCuメッキ膜107を成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の被メッキ面を下向きにしてメッキ液に浸漬することにより前記基板に対してメッキ処理を行なうメッキ方法であって、 前記メッキ液中において前記基板を第1の回転速度で回転させることにより、前記基板に吸着している気泡を除去する工程と、 前記気泡を除去する工程よりも後に、前記メッキ液中において前記基板を前記第1の回転速度よりも低速の第2の回転速度で回転させることにより、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程とを備えていることを特徴とする基板メッキ方法。
IPC (6件)：
C25D7/12 ,  C25D5/20 ,  C25D13/22 ,  C25D17/06 ,  C25D17/10 ,  H01L21/288
FI (7件)：
C25D7/12 ,  C25D5/20 ,  C25D13/22 302A ,  C25D17/06 C ,  C25D17/10 A ,  C25D17/10 101A ,  H01L21/288 E
Fターム (15件)：
4K024AA09 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CB02 ,  4K024CB06 ,  4K024CB12 ,  4K024DA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD21 ,  4M104DD52 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電解メッキ方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-135243   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (9件)
  • めっき装置及びめっき方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-228898   出願人：株式会社荏原製作所
  • めっき装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060839   出願人：株式会社荏原製作所
  • めっき装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-194919   出願人：株式会社荏原製作所
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