特許
J-GLOBAL ID：200903057085679896

半導体装置、及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
肥塚 純一

肥塚 純一 について

, 
掛端 哲弥

掛端 哲弥 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-237942
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111354
出願日： 2008年09月17日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】半導体基板(SOI基板)の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板(SOI基板)の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板と、 前記絶縁表面を有する基板上の接合層と、 前記接合層上の絶縁層と、 前記絶縁層上の単結晶半導体層と、を有し、 前記接合層、前記絶縁層及び、前記単結晶半導体層は、前記絶縁表面を有する基板上に複数設けられており、 前記複数の単結晶半導体層の一と、隣接する他の一との間隙において、前記絶縁表面を有する基板は凹部を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (10件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02
FI (8件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 626C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  G02F1/1362 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02
Fターム (147件)：
2H092GA59 ,  2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JB44 ,  2H092JB56 ,  2H092JB65 ,  2H092JB66 ,  2H092KA03 ,  2H092KB05 ,  2H092KB24 ,  2H092MA18 ,  2H092MA32 ,  2H092MA43 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD11 ,  3K107DD18 ,  3K107EE03 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF05 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG03 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA26 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP13 ,  5F110PP26 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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