特許
J-GLOBAL ID：200903072016054859

SOI基板及びその製造方法

発明者：
森田 悦郎

森田 悦郎 について

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佐野 理太郎

佐野 理太郎 について

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遠藤 昭彦

遠藤 昭彦 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159398
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340622
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 活性層表面の結晶欠陥層を除去するとともに、活性層表面にダメージを与えることなく、活性層全体における膜厚のばらつきを低減して活性層の膜厚を均一化する。また工程を増やすことなく、貼合せ基板の周縁の非活性領域と活性領域の境界領域を滑らかにしてパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】 SOI基板11は、半導体単結晶からなる支持基板12と、支持基板12上に酸化膜21を介して貼合せられる半導体単結晶からなる活性層13とを備える。上記酸化膜21は活性層13にのみ形成され、プラズマエッチング法で生成した反応性ラジカルのみを選択的に用いて活性層13表面をエッチングすることにより、活性層13の厚さが10〜200nmの範囲に形成されかつ活性層13全体における膜厚の差が1.5nm以下に形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体単結晶からなる支持基板(12)と、前記支持基板(12)上に酸化膜(21)を介して貼合せられる半導体単結晶からなる活性層(13)とを備えたSOI基板において、 前記酸化膜(21)が前記活性層(13)にのみ形成され、 プラズマエッチング法で生成した反応性ラジカル(28)のみを選択的に用いて前記活性層(13)表面をエッチングすることにより、前記活性層(13)の厚さが10〜200nmの範囲に形成されかつ前記活性層(13)全体における膜厚の差が1.5nm以下に形成された ことを特徴とするSOI基板。
IPC (3件)：
H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065
FI (3件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/302 101E
Fターム (7件)：
5F004AA01 ,  5F004AA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004DB01 ,  5F004EA38 ,  5F004FA02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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