特許
J-GLOBAL ID：200903057259540167

表面保護シートおよび表面保護シートを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
栗本 秀行

栗本 秀行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049364
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227810
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】 半導体ウェハーの加工工程において、より安定した作業を提供することができる半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】 チャックテーブル51上に表面に突起状物11が形成された半導体ウェハーを固定して、該半導体ウェハーの加工において、表面保護シート20として、前記半導体ウェハーの表面に貼付けられることによって、該半導体ウェハー上に形成された突起状物11を保護する粘着層20aと、前記粘着層20a上に積層され、チャックテーブル51に対し、半導体ウェハーを密着させるための多孔質層20bとを含む保護シートを用いることにより、不良の発生を低減でき、より安定した作業を提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に突起状物が形成された半導体ウェハーのダイシングを行うダイシング工程を含む半導体装置の製造方法において、 前記突起状物を保護する粘着層と、前記粘着層上に積層された支持基材層とを有する表面保護シートを、前記半導体ウェハーの表面上に貼り付ける保護シート貼付工程と、 前記ダイシング工程の前に、前記保護シート貼付工程にて半導体ウェハーの表面上に貼り付けられた表面保護シートの粘着層の全面を硬化させる粘着層硬化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/68 N
Fターム (7件)：
5F031CA02 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA39 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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