ポジ型レジスト組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094443
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262721
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(イ)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(ロ)水酸基の10〜60モル%が、一般式(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であるポジ型レジスト組成物。【効果】高感度、高解像性及び高耐熱性で、経時安定性に優れ、プロファイル形状の優れたレジストパターンが形成できるポジ型レジスト組成物を提供する。

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(イ)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(ロ)水酸基の10〜60モル%が、一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-215662
新規なベンゾピラン誘導体、これを用いたレジスト材料及びこのレジスト材料を用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183020 出願人：和光純薬工業株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100310 出願人：株式会社東芝

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