特許
J-GLOBAL ID：200903057331707233

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者：
澤田 康志

澤田 康志 について

, 
山崎 圭一

山崎 圭一 について

, 
中園 佳幸

中園 佳幸 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-036255
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月05日
要約：
【要約】【課題】 ホールの内面に均一なデスミア処理を行うことができ、また、装置が大掛かりになることなく、さらに、効率よくデスミア処理を行うことができるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 樹脂を用いて形成されるシート状物1に穴あけ加工した後、シート状物1の表面やホール2内に残存するスミア3を除去するプラズマ処理方法に関する。片側が吹き出し口4として開放された反応容器5内にプラズマ生成用ガスを導入する。大気圧近傍の圧力下で反応容器5内にプラズマ6を生成する。このプラズマ6をプラズマジェットとして吹き出し口4から吹き出してシート状物1に吹き付ける。
請求項（抜粋）：
樹脂を用いて形成されるシート状物に穴あけ加工した後、シート状物の表面やホール内に残存するスミアを除去するプラズマ処理方法であって、片側が吹き出し口として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹き出し口から吹き出してシート状物に吹き付けることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (9件)：
B29C 37/02 ,  C08J 7/00 CFG ,  C08J 7/00 306 ,  H05H 1/24 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/42 610 ,  B29K 79:00 ,  C08L 79:08
FI (9件)：
B29C 37/02 ,  C08J 7/00 CFG ,  C08J 7/00 306 ,  H05H 1/24 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/26 B ,  H05K 3/42 610 A ,  B29K 79:00 ,  C08L 79:08
Fターム (27件)：
4F073AA32 ,  4F073BA31 ,  4F073BB01 ,  4F073CA08 ,  4F201AA40 ,  4F201AC03 ,  4F201AD20 ,  4F201AG03 ,  4F201BA08 ,  4F201BC02 ,  4F201BC13 ,  4F201BS02 ,  5E317AA24 ,  5E317BB03 ,  5E317CD01 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG16 ,  5E343AA01 ,  5E343AA07 ,  5E343AA11 ,  5E343EE08 ,  5E343EE13 ,  5E343EE36 ,  5E343ER60 ,  5E343FF23 ,  5E343GG20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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