特許
J-GLOBAL ID：200903057336720637

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置

発明者：
武宮 慶三

武宮 慶三 について

, 
池内 孝敏

池内 孝敏 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114489
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298601
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 成形性、信頼性、レーザーマーク性、電気特性に優れ、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチの半導体装置においても、導電性物質であるカーボンブラック起因の電気特性不良を発生させない封止材及びそれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、及び(B)45μmのふるい残分が8ppm以下のカーボンブラックを含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)エポキシ樹脂、及び(B)45μmのふるい残分が8ppm以下のカーボンブラックを含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (4件)：
C08L63/00 ,  C08K3/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (3件)：
C08L63/00 C ,  C08K3/04 ,  H01L23/30 R
Fターム (11件)：
4J002CD001 ,  4J002DA036 ,  4J002FD116 ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB08 ,  4M109EC13 ,  4M109EC20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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