特許
J-GLOBAL ID：200903057377659578

インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法

発明者：
暮石 光浩

暮石 光浩 について

, 
佐藤 孝

佐藤 孝 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-048026
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206338
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：
【課題】微細ガラスパターンを高いパターン精度で形成することができるインプリントモールド用マスクブランクを提供する。【解決手段】ガラス基板1と該基板上に形成された薄膜2とを有するインプリントモールド用マスクブランク10であって、上記薄膜2は、Cr又は酸素を実質的に含まないCr化合物を材料とし、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な厚さに形成された上層5と、Ta又は酸素を実質的に含まないTa化合物であって、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成された中間層4と、Cr又はCr化合物で形成された下層3との積層膜からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板と該ガラス基板上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び前記ガラス基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのインプリントモールド用マスクブランクであって、 前記薄膜は、少なくとも上層と中間層と下層の積層膜よりなり、 前記上層は、クロム(Cr)又は酸素を実質的に含まないクロム化合物を材料とし、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な厚さに形成され、 前記中間層は、タンタル(Ta)又は酸素を実質的に含まないタンタル化合物であって、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成され、 前記下層は、クロム(Cr)又はクロム化合物で形成されていることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38
FI (3件)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38
Fターム (18件)：
4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ06 ,  4F202AJ09 ,  4F202AR12 ,  4F202CD24 ,  4F202CK11 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ05 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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