特許
J-GLOBAL ID：200903097356420011
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164956
公開番号（公開出願番号）：特開2005-345737
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】回路パターンの微細化や高精度化に貢献し得る位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトパターン1Pを形成するための石英基板1の上に、極薄膜(窒化クロム膜)2を形成し、その上にレジスト膜3を形成した位相シフトマスクブランク10を素材として用い、レジスト膜3にレジストパターン3Pを形成し、レジストパターンをマスクに極薄膜2をエッチングして極薄膜パターン2Pを形成し、極薄膜パターン2Pをマスクに石英基板1をエッチングして位相シフトパターン1Pを形成し、位相シフトパターン1Pの形成およびレジストパターン3の除去が完了した基板1上に遮光膜4を形成し、遮光膜4をレジスト5を用いて選択エッチングすることにより、必要箇所に遮光部4Aを残しながら位相シフトパターン1Pを露出させて、位相シフトマスク20を得る。極薄膜2の膜厚は、極薄膜パターン2Pをマスクにして石英基板1に位相シフトパターンを形成するために必要最小限の厚さに設定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
転写用の三次元パターンを形成するための基層の上に、該基層をエッチングする際にマスク機能を発揮する極薄膜を形成し、その上に該極薄膜をエッチングする際にマスク機能を発揮するレジスト膜を形成してなり、前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクに前記極薄膜をエッチングして極薄膜パターンを形成する工程、前記極薄膜パターンをマスクに前記基層をエッチングして前記三次元パターンを形成する工程を、この順に経ることで位相シフトマスクまたはテンプレートを製造する場合に素材として用いられるマスクブランクであって、
前記極薄膜の膜厚が、前記極薄膜パターンをマスクにして前記基層に三次元パターンを形成するために必要な最小限の厚さに設定されていることを特徴とするマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F1/14
, G03F1/08
, H01L21/027
G03F1/14 A
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502D
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BB10
, 2H095BB17
, 2H095BC05
, 2H095BC24
, 2H095BC26
, 5F046AA28
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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