特許
J-GLOBAL ID：200903057378472480

不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者：
清利 正弘

清利 正弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131200
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283498
出願日： 2008年05月19日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】メモリ層の積層数を増大しても、メモリ層からの引き出しが複雑化しない高記憶容量を可能とする不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1配線と、前記第1配線に対して非平行に設けられた第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた記録層と、を含む単位メモリ層を、前記単位メモリ層の層面に垂直な方向に複数積み重ねてなる不揮発性記憶装置であって、前記単位メモリ層のそれぞれの前記第1配線及び前記第2配線の少なくともいずれかに接続され、同一平面上の前記少なくともいずれかを一括して選択するレイヤー選択トランジスタを備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1配線と、 前記第1配線に対して非平行に設けられた第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた記録層と、 を含む単位メモリ層を、前記単位メモリ層の層面に垂直な方向に複数積み重ねてなる不揮発性記憶装置であって、 前記単位メモリ層のそれぞれの前記第1配線及び前記第2配線の少なくともいずれかに接続され、同一平面上の前記少なくともいずれかを一括して選択するレイヤー選択トランジスタを備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (6件)：
H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 481 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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