特許
J-GLOBAL ID：200903057427848318
基板処理方法及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-018187
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218022
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 基板欠陥の発生要因を容易かつ迅速に特定できる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】 複数種類ある基板の欠陥の現象?@〜?B、?@〜基板の欠陥発生時が(1)レジストの塗布処理時か熱処理時であるか、あるいは(2)露光処理時であるか現像処理時であるかを第1の要因群として予め記憶しておき、これら各処理時における個別具体的な欠陥の発生要因を複数抽出してこれらを第2の要因群として予め記憶しておく。更に、当該個別具体的な複数の要因に対応してそれぞれその欠陥を解消する処置を予め定めて記憶しておく。従って、実際の製品基板の製造段階において、実際に基板の欠陥を検出し、この検出結果に基づき上記予め記憶された第1及び第2要因群を用いることにより、容易かつ迅速に欠陥要因を特定し当該欠陥を解消することができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜の塗布処理を行った後、熱処理を行う基板処理方法において、基板上に形成されたレジスト膜の欠陥の発生時が前記各処理のうちいずれの処理時にあるかを第1の要因群として予め記憶する工程と、前記第1の要因群における各処理ごとに前記欠陥の発生要因を複数抽出しこれらを第2の要因群として予め記憶する工程と、前記欠陥を解消するための処置を前記複数の発生要因ごとに予め記憶する工程と、基板上に形成されたレジスト膜の欠陥を検出する工程と、この検出結果に基づき、前記第1の要因群のうち前記いずれの処理時に欠陥が発生したかを特定するとともに、前記発生要因を前記第2の要因群から特定してこれを解消する処置を施す工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/30
, G03F 7/30 501
, G03F 7/38 501
G03F 7/30
, G03F 7/30 501
, G03F 7/38 501
, H01L 21/30 562
, H01L 21/30 564 C
, H01L 21/30 567
, H01L 21/30 569 A
, H01L 21/30 514 E
, H01L 21/30 502 V
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096CA14
, 2H096DA01
, 2H096GA02
, 2H096GA17
, 2H096GA21
, 5F046JA02
, 5F046JA13
, 5F046KA04
, 5F046LA18
