露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097699
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039203
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】複雑で、長時間を要するシミュレーションを行うことなく、近接場特有の電場分布が考慮されたマスク構成が容易に作製可能となる露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法等を提供する。【解決手段】遮光部材に設けられた隣接する複数の開口から滲み出す近接場光を用いて基板上に配された像形成層に露光を行うための露光用マスクであって、前記遮光部材に露光用の光を照射したときの、前記開口の前記像形成層側の電場分布が、得ようとするパターンの線幅、高さから決定された、電場分布の同心円モデルと相関関係をなすように、前記遮光部材が開口間隔を有する構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

遮光部材に設けられた隣接する複数の開口から滲み出す近接場光を用いて基板上に配された像形成層に露光を行うための露光用マスクであって、前記遮光部材に露光用の光を照射したときの、前記開口の前記像形成層側の電場分布が、得ようとするパターンの線幅、高さから決定された、電場分布の同心円モデルと相関関係をなすように、前記遮光部材が開口間隔を有することを特徴とする露光用マスク。

IPC (3件)：

H01L21/027 , G03F1/16 , G03F7/20

FI (4件)：

H01L21/30 502D , G03F1/16 E , G03F7/20 501 , G03F7/20 521

Fターム (10件)：

2H095BA03 , 2H095BB02 , 2H095BB06 , 2H095BB36 , 2H095BC09 , 2H097CA11 , 2H097LA10 , 5F046BA10 , 5F046CA10 , 5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (6件)

露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322231 出願人：キヤノン株式会社
微細パターンの転写加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-136146 出願人：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
微細パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-119670 出願人：富士写真フイルム株式会社

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審査官引用 (4件)

露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322231 出願人：キヤノン株式会社
エバネッセント光露光装置及び該エバネッセント光露光装置に用いるマスク及びエバネッセント光露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-355336 出願人：キヤノン株式会社
近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282601 出願人：江刺正喜, 小野崇人

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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