特許
J-GLOBAL ID：200903057540913347

配線基板及び配線基板の製造方法

発明者：
太田 純雄

太田 純雄 について

, 
平野 訓

平野 訓 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323773
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134862
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 樹脂絶縁層と、これを貫通しメッキにより充填形成されたフィルドビアと、これらの上にメッキにより形成された導体層とを有する配線基板において、導体層の厚さがほぼ均一な配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 配線基板1は、第1樹脂絶縁層7と、これを貫通しメッキにより充填形成された第1フィルドビア19と、これらの上にメッキにより形成された第2導体層29とを備える。第2導体層29のうち、下方の第1電解メッキ層35には、微細なメッキ粒子が偏在するが、その上に形成され第2導体層29の表面をなす第2電解メッキ層37は、ほぼ均一で大きなメッキ粒子からなる。
請求項（抜粋）：
樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された導体層と、を備える配線基板であって、上記導体層は、上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層と、この無電解メッキ層及び上記フィルドビア上に形成され、微細な粒子が偏在する第1電解メッキ層と、上記第1電解メッキ層上に形成され、導体層表面をなし、メッキ粒子の粒度分布が場所によらずほぼ均一な第2電解メッキ層と、を備える配線基板。
IPC (5件)：
H05K 1/11 ,  C25D 5/10 ,  C25D 5/56 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/42 610
FI (5件)：
H05K 1/11 N ,  C25D 5/10 ,  C25D 5/56 A ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/42 610 B
Fターム (21件)：
4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024AB19 ,  4K024BB11 ,  4K024BC10 ,  4K024CB21 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC35 ,  5E317CC53 ,  5E317CD05 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM