特許
J-GLOBAL ID：200903060988877890

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大谷 久

大谷 久 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115274
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294279
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。【解決手段】 被処理膜を形成した基板の上面側から紫外光を照射し、下面側から赤外光を照射することでランプアニールを行う。この様な構成では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜の励起効率が大幅に高まる。また、上記ランプアニールで被処理膜中に発生した歪エネルギーをファーネスアニールで除去または低減する。
請求項（抜粋）：
透光性を有する基板上に成膜された半導体薄膜に、強光を照射し、加熱処理する工程を有する半導体装置の作製方法であって、前記半導体薄膜に対して、前記半導体薄膜の上面側に設けられた少なくとも1つのランプ光源と前記半導体薄膜の下面側に設けられた少なくとも1つのランプ光源とから発する強光を照射する工程と、前記工程の後に、前記半導体薄膜に対して熱処理を施す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (16件)
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