特許
J-GLOBAL ID:200903057610857903

プラズマ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-181362
公開番号(公開出願番号):特開2001-015297
出願日: 1999年06月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 載置台に到達するイオンのエネルギーを低減する。【解決手段】 載置台104下の支持台105周囲に、処理容器101内の上部に向かって発散磁場を形成する発散磁場生成手段112を新たに設ける。
請求項(抜粋):
気密な処理容器と、この処理容器内に配置された被処理基板を載置する載置台と、前記処理容器内にマイクロ波を供給するためのマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段により発生したマイクロ波を前記処理容器内の前記載置台上部に導くための導波手段と、前記処理容器内に所望のガスを導入するガス導入手段と、前記載置台より下に配置され前記載置台上部に向かって発散する磁場を生成する発散磁場生成手段とを備えたことを特徴とするプラズマ装置。
IPC (2件):
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B
Fターム (8件):
5F004AA00 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004DA16
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-360525   出願人:ソニー株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-248767   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 中性粒子加工方法およびその装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-135126   出願人:日本電信電話株式会社
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