半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：西川惠清 , 森厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117508
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327556
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】耐半田性などの信頼性が高く、しかも熱放散性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】インターポーザー1上に半導体素子2をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載した半導体装置に関する。半導体素子2のフリップチップ接合部と反対側の面に金属板4を接着する。半導体素子2のフリップチップ接合部に形成される間隙と、半導体素子2のフリップチップ接合部及び金属板3との接着面以外の表面と、金属板4の半導体素子2との接着面以外の表面とを、同一材料の封止樹脂3で封止すると共に、金属板4の表面の少なくとも一部を封止樹脂3の表面に露出させる。半導体素子2を界面のない封止樹脂3で封止することができる。また半導体素子2の発熱を金属板4に伝熱して、金属板4から封止樹脂3を通して放散することができると共に、金属板4の露出する表面から放散することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

インターポーザー上に半導体素子をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載した半導体装置において、半導体素子のフリップチップ接合部と反対側の面に金属板を接着し、半導体素子のフリップチップ接合部に形成される間隙と、半導体素子のフリップチップ接合部及び金属板との接着面以外の表面と、金属板の半導体素子との接着面以外の表面とを、同一材料の封止樹脂で封止すると共に、金属板の表面の少なくとも一部を封止樹脂の表面に露出させて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L23/36 , H01L21/56 , H01L23/12 , H01L23/34 , H01L23/40

FI (5件)：

H01L23/36 Z , H01L21/56 T , H01L23/12 501B , H01L23/34 A , H01L23/40 F

Fターム (7件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BC05 , 5F036BE01 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA21

引用特許：

審査官引用 (9件)

回路装置、その製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-159777 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-242749 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-127516 出願人：株式会社デンソー

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