窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-187368
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005723
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】結晶欠陥や反りやクラックが少なく大面積の窒化物半導体エピタキシャルが得られる窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】サファイア基板1の表面近傍に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層2は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。中間層2は窒化物半導体層3の成長中に加熱されることによりボイドが生じる。ボイドは歪みの吸収、緩和効果が高く、クラックや反り等が低減し、結晶緩和を減少させる。基板表面が異種基板1のため、ボイドを有する中間層2の歪み吸収効果が大きくなり、高品質で大口径の窒化物半導体エピタキシャルウェハが得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板の表面近傍に該サファイア基板より機械的強度の弱い中間層を形成し、該中間層を形成したサファイア基板の上にデバイス用窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (9件)：

H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (10件)：

H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 D , H01L21/02 C , H01L21/205 , H01L27/12 S , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L21/265 Y , H01L21/265 Q

Fターム (35件)：

4G077AA02 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 4G077TK01 , 4G077TK02 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA71 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045CA09 , 5F045EB15 , 5F045HA05 , 5F052JA07 , 5F052KA05 , 5F173AH22 , 5F173AH41 , 5F173AP04 , 5F173AQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-029434 出願人：松下電器産業株式会社
結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-299183 出願人：京セラ株式会社
半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-361002 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

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