脆弱化された基板およびそのような基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-500443
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535472
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】本発明は、マイクロキャビティゾーン(4’)の存在によって脆弱化された基板(1)に関するものであって、マイクロキャビティゾーン(4’)が、基板(1)の一面(2)を有している薄層(5)を規定している場合に、マイクロキャビティ(4’)から、ガス種の全部または一部が排出されている。本発明は、また、そのような脆弱化された基板の製造方法に関するものである。さらに、本発明は、薄層を得るための方法に関するものである。さらに、本発明は、絶縁体上の半導体(セミコンダクター・オン・インシュレータ)タイプの構造を得るための方法に関するものである。本発明は、特に、マイクロエレクトロニクスや半導体分野に応用することができる。

請求項（抜粋）：

脆弱化された基板(1,11)を製造するための方法であって、 -基板のゾーン(4,14)内へと少なくとも1つのガス種(3,13)を導入し、これにより、前記ゾーンのところに複数のマイクロキャビティを形成することによって、脆弱化された前記ゾーンにより、前記基板の一面(2,12)を有しているとともに後工程において分離されることとなる薄層(5,15)を規定するステップと; -前記脆弱化ゾーン(4,14)内の前記ガス種の全部または一部を排出するステップと;を具備することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/265 601

FI (4件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 C , H01L 21/265 601 Q , H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体材料薄層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-126005 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
半導体材料薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-233428 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-128614 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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