特許
J-GLOBAL ID：200903057667608004

圧電体デバイス及び液体吐出ヘッド並びにこれらの製造方法、薄膜形成装置。

発明者：
樋口 天光

樋口 天光 について

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岩下 節也

岩下 節也 について

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宮澤 弘

宮澤 弘 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-402516
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166864
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜を備えた圧電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。 【解決手段】 基板52の表面に、照射するアブレーションプルームの中心軸が基板の法線方向とほぼ55度の角度をなす配置でイオンビームアシストレーザアブレーション法を行って二軸配向した中間膜55を形成し、前記中間膜上に下部電極542を形成し、前記下部電極上に圧電体膜543を形成し、前記圧電体膜上に上部電極541を形成する。下部電極、圧電体膜は、エピタキシャル成長によって形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、イオンビームアシストレーザアブレーション法により形成した層を一部有し、全体として二軸配向した中間膜を形成し、前記中間膜上にエピタキシャル成長によって下部電極を形成し、前記下部電極上にエピタキシャル成長によって圧電体膜を形成し、前記圧電体膜上に上部電極を形成する、圧電体デバイスの製造方法。
IPC (9件)：
H01L41/22 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00
FI (11件)：
H01L41/22 Z ,  H02N2/00 B ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 J ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H
Fターム (9件)：
2C057AF93 ,  2C057AP23 ,  2C057AP31 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AQ02 ,  2C057AQ06 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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