特許
J-GLOBAL ID：200903057690422422

微細パターン形成材料、これを用いた電子デバイス装置およびその製造方法

発明者：
寺井 護

寺井 護 について

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熊田 輝彦

熊田 輝彦 について

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石橋 健夫

石橋 健夫 について

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塙 哲郎

塙 哲郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-196880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-018095
出願日： 2004年07月02日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 分離パターン、ホールパターンの微細化において、波長限界を超えるパターン形成を可能とする微細分離レジストパターン形成を実現する、下地レジストを溶解しない水溶性の微細パターン形成材料を提供すること。【解決手段】 カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、該組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有する微細パターン形成材料であって、前記水溶性有機化合物は、該水溶性有機化合物中のカチオン性基が、アニオン性基を有する化合物を主成分とするレジストパターン中のアニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする微細パターン形成材料。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、該組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有する微細パターン形成材料であって、前記水溶性有機化合物は、該水溶性有機化合物中のカチオン性基が、アニオン性基を有する化合物を主成分とするレジストパターン中のアニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする、微細パターン形成材料。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA01 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA09 ,  2H096HA17 ,  2H096HA30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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