微細パターンの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241108
公開番号（公開出願番号）：特開2004-078034
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】波長200nm以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が100nm以下でユニフォーミティー(面内均一性)などの点においても優れる微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長200nm以下の高エネルギー光または電子線に対して感応性を有するホトレジスト組成物を用いて形成したホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

波長200nm以下の高エネルギー光または電子線に対して感応性を有するホトレジスト組成物を用いて形成したホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

G03F7/40 , H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 562

Fターム (8件)：

2H096AA25 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096HA05 , 2H096LA30 , 5F046AA28 , 5F046JA22 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-087282 出願人：三菱電機株式会社
微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-080940 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003205 出願人：三菱電機株式会社

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