特許
J-GLOBAL ID：200903000677056989
微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
高田 守
, 葛野 信一
, 高橋 英樹
, 大阿久 敦子
, 平山 淳
, 大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253923
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093832
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】フォトリソグラフィ技術における露光波長の限界を超えて微細パターンの形成を可能とする微細パターン形成材料、これを用いた微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】酸の存在により架橋可能な水溶性成分と、水および/または水溶性有機溶媒とを含有する微細パターン形成材料を使用する。この水溶性成分は、水溶性ポリマー、水溶性モノマー、水溶性オリゴマーおよび水溶性モノマーの共重合体並びにこれらの塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種である。また、この微細パターン形成材料は、酸を供給し得るレジストパターン4の上に形成され、レジストパターン4からの酸によりレジストパターン4に接する部分で水溶性成分が架橋反応を起こして水またはアルカリに不溶な膜6を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
酸の存在により架橋可能な水溶性成分と、
水および/または水溶性有機溶媒とを含有してなり、
酸を供給し得るレジストパターンの上に形成され、前記レジストパターンからの酸により前記レジストパターンに接する部分で前記水溶性成分が架橋反応を起こして水またはアルカリに不溶な膜を形成することを特徴とする微細パターン形成材料。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H096AA25
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 2H096LA30
