特許
J-GLOBAL ID：200903057855270010
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-281747
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098106
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機EL層をパターニングする有機EL素子の製造方法であって、寿命特性に優れる有機EL素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、フォトリソグラフィー法を用いて有機EL層のパターニングを行う際に、有機EL層、保護層およびフォトレジスト層をこの順に積層し、パターニング後にフォトレジスト層および保護層の順に剥離することにより、上記目的を達成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極層が形成された基板上に、少なくとも1層の有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、前記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、
前記フォトレジスト層が除去された部分の前記保護層および前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
残存する前記フォトレジスト層および前記保護層をこの順に剥離する剥離工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC45
, 3K107GG12
, 3K107GG21
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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