ガス処理装置およびガス処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222145
公開番号（公開出願番号）：特開2004-076023
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】基板に対してガスを均一に供給して均一なガス処理を施すことができるガス処理装置およびガス処理方法を提供すること。【解決手段】ガス処理装置1は、処理ガスを用いてウエハWに処理を施す処理容器2と、前記処理容器2内に配置され、ウエハWが載置される載置台5と、前記載置台5上のウエハWに対応して設けられ、前記処理容器2内へ処理ガスを吐出するシャワーヘッド22と、前記処理容器2内を排気する排気手段とを具備し、前記シャワーヘッド22は、前記載置台5に載置されたウエハWに対応して設けられた第1のガス吐出孔46と、前記第1のガス吐出孔46とは別個に、前記第1のガス吐出孔46の周囲に設けられ、前記載置台5上のウエハWの周辺部に処理ガスを吐出する第2のガス吐出孔47とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、前記載置台上の被処理基板と対向する位置に設けられ、前記処理容器内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構と、前記処理容器内を排気する排気手段とを具備し、前記処理ガス吐出機構は、前記載置台に載置された被処理基板に対応して設けられた第1のガス吐出部と、前記第1のガス吐出部とは別個に、前記第1のガス吐出部の周囲に設けられ、前記載置台上の被処理基板の周辺部に処理ガスを吐出する第2のガス吐出部とを有することを特徴とするガス処理装置。

IPC (1件)：

C23C16/455

FI (1件)：

C23C16/455

Fターム (10件)：

4K030AA04 , 4K030AA17 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030KA23 , 4K030KA41

引用特許：

審査官引用 (10件)

枚葉式熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-362208 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-303464 出願人：東京エレクトロン株式会社
電子デバイスの製造時におけるプラズマ処理及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-500593 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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