特許
J-GLOBAL ID:200903057969218442
多孔質薄膜の形成方法、並びに色素増感型太陽電池及び多孔質薄膜光触媒
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-028447
公開番号(公開出願番号):特開2005-222782
出願日: 2004年02月04日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【解決手段】 第1の金属成分からなる金属が、第1の金属成分とは異なる第2の金属成分の化合物に分散してなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより、基板上に、第1の金属成分からなる金属部分と、第2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散する複合薄膜を形成し、複合薄膜中の金属部分のみを除去する多孔質薄膜の形成方法、並びに色素増感型太陽電池及び多孔質薄膜光触媒。【効果】 特別な装置設計変更を施すことなく従来の装置によって、太陽電池電極用の半導体薄膜、薄膜光触媒などに好適な、高い比表面積を有する多孔質薄膜を効率よく、かつ経済的に成膜することができ、この多孔質薄膜を色素増感型太陽電池用半導体電極に用いた色素増感型太陽電池は優れた光電変換効率が得られ、また、この多孔質薄膜を薄膜光触媒として用いれば優れた光触媒性能が得られる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
第1の金属成分からなる金属が、上記第1の金属成分とは異なる第2の金属成分の化合物に分散してなるスパッタリング用ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、基板上に、上記第1の金属成分からなる金属部分と、上記第2の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散する複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の上記金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法。
IPC (6件):
H01M14/00
, B01J35/02
, C23C14/06
, C23C14/34
, C23C14/58
, H01L31/04
FI (6件):
H01M14/00 P
, B01J35/02 J
, C23C14/06 L
, C23C14/34 A
, C23C14/58 Z
, H01L31/04 Z
Fターム (31件):
4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA04A
, 4G069BA14B
, 4G069BA48A
, 4G069EA07
, 4G069FA03
, 4G069FB02
, 4G069FB48
, 4G069FB49
, 4K029AA09
, 4K029BA64
, 4K029CA06
, 4K029DC01
, 4K029DC07
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029GA00
, 5F051AA14
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5H032AA06
, 5H032AS09
, 5H032AS10
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC14
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE18
引用特許: