特許
J-GLOBAL ID：200903057973242366
回路基板および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-083336
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244189
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】 本発明の目的は、薄膜化に対応した回路基板および半導体装置を提供することにあり、かつ回路パターンに応じたプリプレグを用いて良好な回路基板および半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明の回路基板は、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面側に形成される第2樹脂層とを有するプリプレグと、回路配線が形成された基板とが積層されてなる回路基板であって、前記プリプレグの第1樹脂層は、前記基板の回路配線が形成された面に接合されており、前記第1樹脂層の厚さが前記第2樹脂層の厚さよりも厚く、かつ前記第1樹脂層の厚さをB1[μm]とし、第1樹脂層に接する回路配線の厚さをt1[μm]およびその回路配線の残銅率をS[%]とし、回路配線部の上端面からコア層までの厚さをt2[μm]としたとき、B1=t2+t1×(1-S/100)である関係を満たす。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第1樹脂層および他方面側に形成される第2樹脂層とを有するプリプレグと、回路配線が形成された基板とが積層されてなる回路基板であって、
前記プリプレグの第1樹脂層は、前記基板の回路配線が形成された面に接合されており、
前記第1樹脂層の厚さが前記第2樹脂層の厚さよりも厚く、かつ前記第1樹脂層の厚さをB1[μm]とし、第1樹脂層に接する回路配線の厚さをt1[μm]およびその回路配線の残銅率をS[%]とし、回路配線部の上端面からコア層までの厚さをt2[μm]としたとき、B1=t2+t1×(1-S/100)である関係を満たすことを特徴とする回路基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K3/46 G
, H05K3/46 Q
, H01L23/12 N
5E346EE06
, 5E346EE07
, 5E346EE09
, 5E346FF45
, 5E346HH24
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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