特許
J-GLOBAL ID：200903057975545617

炭化珪素半導体装置

発明者：
鈴木 拓馬

鈴木 拓馬 について

, 
河野 洋志

河野 洋志 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-022001
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182271
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜の信頼性が向上した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】第1と第2の主面を有する炭化珪素基板(101)と、炭化珪素基板の第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層(102)と、炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域(103)と、第1の炭化珪素領域内の表面に設けられた第1導電型の第2の炭化珪素領域(104)と、炭化珪素層、第1の炭化珪素領域、及び第2の炭化珪素領域が連続して連なる部分に跨るように選択的に設けられたゲート絶縁膜(105)と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(106)と、第2及び第1の炭化珪素領域の隣接する部分に選択的に設けられたトレンチに埋め込まれた第1の電極(108)と、炭化珪素基板の前記第2の主面に形成された第2の電極(107)とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1と第2の主面を有する炭化珪素基板と、 前記炭化珪素基板の前記第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層と、 前記炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域と、 前記第1の炭化珪素領域内の表面に設けられた第1導電型の第2の炭化珪素領域と、 前記炭化珪素層と前記第2の炭化珪素領域の表面と、前記炭化珪素層と前記第2の炭化珪素領域に挟まれた前記第1の炭化珪素層の表面に連続的に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記第2の炭化珪素領域及び前記第1の炭化珪素領域の隣接する部分に選択的に設けられたトレンチに埋め込まれた第1の電極と、 前記炭化珪素基板の前記第2の主面に形成された第2の電極と を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (6件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301D
Fターム (30件)：
5F140AC21 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD06 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG02 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH00 ,  5F140BH07 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK24 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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