薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279337
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139331
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの製造方法において、低温化、短工程化を可能にすると共に、活性層の結晶粒の巨大化を図って電気的特性の向上を図る。【構成】非晶質シリコン薄膜にエキシマレーザを照射して結晶核を発生させ、続いて550°C〜700°C、数時間の固相成長を行って粒径を大きくした多結晶半導体薄膜を得、この多結晶半導体薄膜を活性層に用いて薄膜トランジスタを製造する。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体薄膜にエキシマレーザを照射して結晶核を発生させ、続いて固相成長を行い粒径を大きくした多結晶半導体薄膜を得、該多結晶半導体薄膜を活性層に用いることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-285702 出願人：ソニー株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326929 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183896 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る