特許

J-GLOBAL ID：200903058117502183

ポリッシング装置

発明者： 岡村 聡 ,  相澤 英夫 ,  赤木 真 ,  徳重 克彦 ,  松尾 尚典 ,  辻村 学
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009536
公開番号（公開出願番号）：特開2002-200552
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ等の研磨対象物の表面に形成された薄膜の膜厚分布に対応して研磨を行なうことができ、研磨後の膜厚の均一性を得ることができるポリッシング装置を提供する。【解決手段】 研磨テーブル11の研磨面に研磨対象物である半導体ウェハWを押圧して研磨するポリッシング装置において、研磨テーブル11の研磨面の目立てを行なうドレッサー39と、ドレッサー39を研磨テーブル11の研磨面上で移動させる揺動モータ36と、半導体ウェハWの被研磨面内の所定位置を研磨するために用いられる研磨面の領域において、該被研磨面内の所定位置における研磨すべき膜厚に応じて揺動モータ36によるドレッサー39の移動速度を制御する制御装置50とを備えた。

請求項（抜粋）：

研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリングとを備え、上記研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨するポリッシング装置において、上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なうドレッサーを備え、上記ドレッサーは、上記研磨対象物の被研磨面内の所定位置を研磨するために用いられる研磨面の領域を、該被研磨面内の所定位置における研磨すべき膜厚に応じて目立てすることを特徴とするポリッシング装置。

IPC (6件)：

B24B 37/00 ,  B24B 53/00 ,  B24B 53/02 ,  B24B 55/06 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (8件)：

B24B 37/00 A ,  B24B 53/00 A ,  B24B 53/02 ,  B24B 55/06 ,  H01L 21/304 622 M ,  H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 S

Fターム (16件)：

3C047AA04 ,  3C047AA05 ,  3C047AA34 ,  3C047FF08 ,  3C047FF09 ,  3C047FF19 ,  3C058AA12 ,  3C058AA16 ,  3C058AA19 ,  3C058AB04 ,  3C058AC02 ,  3C058AC05 ,  3C058BA04 ,  3C058BA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• CMP装置の研磨パッドの調整方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343567   出願人：日本鋼管株式会社
• 研磨装置及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-231956   出願人：日本電気株式会社
• 研磨面のコンディショニング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012725   出願人：東芝機械株式会社
• ウエハ研磨装置および研磨面のドレッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-097777   出願人：三菱マテリアル株式会社
• ポリッシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-136086   出願人：株式会社荏原製作所