特許
J-GLOBAL ID：200903058184779106
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321375
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子の長寿命化を図る。【構成】 Zn(Cd)Se系活性層45を挟んでZn(S)Se系ガイド層44,46とZnMgSSe系クラッド層43,47とが配置されたII-VI族化合物半導体発光素子において、ガイド層44,46が活性層45と接する側に設けられた100Å〜800Åの厚さのアンドープ層61,63と、これとは反対側に設けられた不純物ドープ層62,64とより構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上の第1のZnMgSSe系クラッド層と、前記第1のクラッド層上の第1のZn(S)Se系又はZnMgSSe系ガイド層と、前記第1のガイド層上のZn(Cd)Se系活性層と、前記活性層上の第2のZn(S)Se系又はZnMgSSe系ガイド層と、前記第2のガイド層上の第2のZnMgSSe系クラッド層と、前記第1及び第2のガイド層のうち、少なくとも一方は、活性層と接する側の100Å〜800Åの厚さのアンドープ層と、これとは反対側の不純物ドープ層とより成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (12件)
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特開平4-049691
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特開平2-033990
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半導体レーザー
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-229356
出願人：ソニー株式会社
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