特許
J-GLOBAL ID：200903058225751629
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052476
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 セルフリフレッシュモード時における消費電流を高速アクセス動作を損なうことなく低減する。【解決手段】 リフレッシュ系回路(14a)に対する電源電圧を発生する電源回路(22c)およびコラム系/周辺制御回路(14b)に対する電源回路(22b)のセルフリフレッシュモード時における電源電圧供給状態を互いに異ならせるように電源制御回路(25)により制御する。セルフリフレッシュモード時テストリフレッシュ系回路に対してのみ電源電圧を供給してリフレッシュ動作を実行させる。
請求項（抜粋）：
記憶データが一定期間内にリフレッシュされる複数のメモリセル、リフレッシュモード時、前記複数のメモリセルの記憶データのリフレッシュ動作を行なうためのリフレッシュ系回路、前記リフレッシュ系回路と異なり、前記複数のメモリセルへのアクセスに関連する動作を少なくとも行なうための周辺回路、前記リフレッシュ系回路へ動作電源電圧を供給するための第1の電源回路、前記第1の電源回路と別に設けられ、前記周辺回路へ動作電源電圧を供給するための第2の電源回路、および動作モード指示信号に応答して、少なくとも前記第2の電源回路の電圧供給を調整するための電源制御回路を備え、前記電源制御回路は、前記動作モード指示信号が前記リフレッシュモードを指定するとき前記第1および第2の電源回路を互いに異なる電圧供給状態に設定し、かつ前記動作モード指示信号が前記リフレッシュモードと異なるノーマルモードを指定するとき前記第1および第2の電源回路を同一電圧供給状態に設定する手段を含む、半導体装置。
IPC (6件)：
G11C 11/403
, G11C 11/409
, G11C 11/407
, G11C 11/406
, H03K 17/687
, H03K 19/096
G11C 11/34 363 M
, H03K 19/096 B
, G11C 11/34 353 E
, G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 363 Z
, H03K 17/687 F
5B024AA01
, 5B024BA27
, 5B024BA29
, 5B024DA08
, 5B024DA18
, 5J055AX02
, 5J055AX13
, 5J055AX28
, 5J055AX52
, 5J055BX16
, 5J055CX10
, 5J055DX13
, 5J055DX14
, 5J055DX22
, 5J055DX56
, 5J055EY21
, 5J055EZ07
, 5J055EZ10
, 5J055EZ12
, 5J055EZ13
, 5J055EZ20
, 5J055EZ26
, 5J055EZ29
, 5J055EZ31
, 5J055EZ33
, 5J055EZ34
, 5J055EZ50
, 5J055EZ51
, 5J055GX01
, 5J055GX02
, 5J055GX04
, 5J056BB02
, 5J056BB17
, 5J056CC00
, 5J056CC03
, 5J056CC04
, 5J056CC05
, 5J056CC09
, 5J056CC14
, 5J056CC17
, 5J056CC18
, 5J056CC21
, 5J056DD13
, 5J056DD29
, 5J056EE11
