特許
J-GLOBAL ID:200903058276070090
研磨材
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-126904
公開番号(公開出願番号):特開2003-324087
出願日: 2002年04月26日
公開日(公表日): 2003年11月14日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおいて、スラリーレス対応で、スクラッチの発生の少なく、パッド中の砥粒の凝集が無く、スクラッチが発生しにくく、且つ研磨対象の研磨レートの面内均一性が極めて良好な半導体ウエハ研磨用パッドを提供するものである。【解決手段】 20〜1500eq/tonの範囲でイオン性基を含有する樹脂中に微粒子砥粒が分散されていることを特徴とする研磨材において、該研磨剤が樹脂基材上にコーティングされ、該樹脂基材がShoreA硬度で75以下の樹脂であることを特徴とする研磨材である。
請求項(抜粋):
20〜1500eq/tonのイオン性基を含有する樹脂中に微粒子砥粒が分散されてなる研磨層と、該研磨層をコーティングしてなるクッション層を含んでなる研磨材であって、前記クッション層のショアA硬度が90以下であることを特徴とする研磨材。
IPC (7件):
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, B24D 3/00 310
, B24D 3/00 350
, B24D 11/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
FI (10件):
H01L 21/304 622 F
, B24B 37/00 C
, B24D 3/00 310 F
, B24D 3/00 350
, B24D 11/00 B
, B24D 11/00 M
, B24D 11/00 P
, C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 K
, C09K 3/14 550 L
Fターム (20件):
3C058AA02
, 3C058AA09
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058DA02
, 3C058DA17
, 3C063AA10
, 3C063BA24
, 3C063BB01
, 3C063BB03
, 3C063BC03
, 3C063BF02
, 3C063BG01
, 3C063BG08
, 3C063BG22
, 3C063BH12
, 3C063BH19
, 3C063EE10
, 3C063EE26
, 3C063FF23
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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