特許
J-GLOBAL ID：200903058301339341

位相シフトマスクの欠陥修正方法およびその装置

発明者：
高岡 修

高岡 修 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160478
公開番号（公開出願番号）：特開2001-343733
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 ガラスまたは石英の凹凸からなる位相シフトマスクに対して高品質な欠陥修正を提供するためには、高い透過率で、位相制御性も良い欠陥修正技術が必要である。【解決手段】 沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過率が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。エッチングレートの低下に伴うスループットの低下に対しては、上記の方法とエッチングレートの高い加工方法との組み合わせることで対処する。
請求項（抜粋）：
イオンを放出するイオン源と、前記イオンを集束するためのイオン光学系と、前記集束イオンビームを試料上の所望の位置に照射するための偏向電極と、ガラスまたは石英の凹凸からなる位相シフトマスクの表面から放出される二次粒子を検出するための検出器と、二次粒子の平面強度分布に基づいて前記試料表面の画像を表示する画像表示装置と、前記試料表面の画像情報に基づいて加工領域を指定し、指定した領域のみ選択的に集束イオンビームを繰り返し走査しながら照射する機能を備えたマスク修正装置において、沃素ガス雰囲気下で前記位相シフトマスクを加工することを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正装置。
FI (2件)：
G03F 1/08 T ,  G03F 1/08 A
Fターム (5件)：
2H095BB03 ,  2H095BD02 ,  2H095BD14 ,  2H095BD35 ,  2H095BD38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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