特許
J-GLOBAL ID:200903058403286439

固体撮像素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-301663
公開番号(公開出願番号):特開2005-072364
出願日: 2003年08月26日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 固体撮像素子において、高い集光率を実現する。【解決手段】 感光部と、垂直CCD部と、水平CCD部と、遮光膜とを含む基板部を形成する。基板部上に、添加物を含む酸化シリコンの第1の絶縁層を形成する。第1の絶縁層をリフロし、リフロされた第1の絶縁層上であって感光部の上方を含む領域に、窒化シリコンで上下凸形状のインナレンズを形成する。インナレンズ上に酸化シリコン系絶縁物の第2の絶縁層を形成する。第2の絶縁層の表面を平坦化する。第2の絶縁層の平坦化された表面上に、カラーフィルタを形成する。カラーフィルタ上に、透明材料で形成され、表面が平坦な透明平坦層を形成する。透明平坦層上に、マイクロレンズを形成する。マイクロレンズ上に、マイクロレンズよりも屈折率の小さい低屈折率層を形成する。低屈折率層上に、透明板を配置する。透明板を配置した基板部をパッケージする。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
(a)半導体基板内、及び前記半導体基板上方に、行列状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を生成する感光部と、前記感光部で生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直CCD部と、前記垂直CCD部から転送される信号電荷を水平方向に転送する水平CCD部と、前記各感光部の上に開口を有する遮光膜とを含む基板部を形成する工程と、 (b)前記基板部上に、添加物を含む酸化シリコンの第1の絶縁層を形成する工程と、 (c)前記第1の絶縁層をリフロし、リフロされた前記第1の絶縁層上であって前記感光部の上方を含む領域に、窒化シリコンで上下凸形状のインナレンズを形成する工程と、 (d)前記インナレンズ上に酸化シリコン系絶縁物の第2の絶縁層を形成する工程と、 (e)前記第2の絶縁層の表面を平坦化する工程と、 (f)前記第2の絶縁層の平坦化された表面上に、カラーフィルタを形成する工程と、 (g)前記カラーフィルタ上に、透明材料で形成され、表面が平坦な透明平坦層を形成する工程と、 (h)前記透明平坦層上に、マイクロレンズを形成する工程と、 (i)前記マイクロレンズ上に、前記マイクロレンズよりも屈折率の小さい低屈折率層を形成する工程と、 (j)前記低屈折率層上に、透明板を配置する工程と、 (k)前記透明板を配置した基板部をパッケージする工程と を有する固体撮像素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L27/14 ,  H04N5/335
FI (2件):
H01L27/14 D ,  H04N5/335 V
Fターム (13件):
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD06 ,  4M118GD07 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GY01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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