特許
J-GLOBAL ID：200903058449787084

化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
小板橋 龍二

小板橋 龍二 について

, 
渡邉 聡

渡邉 聡 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113115
公開番号（公開出願番号）：特開2005-326833
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【解決手段】 下記式(1a),(1b),(1c),(1d),(1e)から選ばれる少なくとも1種の放射線又は電子線の照射により酸を発生する化合物(1)と、酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する高分子重合体と、塩基性化合物とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料。 【化1】【効果】 本発明によれば、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、露光後の経時安定性の非常に優れた、特に超LSI製造用の電子線リソグラフィーによる微細パターン形成材料、マスクパターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料を提供することができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記式(1a),(1b),(1c),(1d),(1e)から選ばれる少なくとも1種の放射線又は電子線の照射により酸を発生する化合物(1)と、酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する高分子重合体と、塩基性化合物とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (5件)：
G03F7/004 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (6件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (54件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA05Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA06Q ,  4J100BA06R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC21Q ,  4J100BC21R ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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