特許
J-GLOBAL ID：200903087760596675

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
安波 昭一郎

安波 昭一郎 について

, 
白川 浩司

白川 浩司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324528
公開番号（公開出願番号）：特開2005-091712
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】、活性光線又は放射線、特にKrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足し、また溶解コントラストも良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)脂環基を有する酸分解性基を有する特定の繰り返し単位及び特定のポリスチレン繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により特定のベンゼンスルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(1)で表される繰り返し単位及び一般式(2)で表わされる繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、及び、 (B)活性光線又は放射線の照射により一般式(3)で表されるスルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/42 ,  H01L21/027
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/42 ,  H01L21/30 502R
Fターム (42件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02R ,  4J100AB04R ,  4J100AB07P ,  4J100AL03R ,  4J100AL08Q ,  4J100AM03P ,  4J100AM03Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BB01P ,  4J100BB18P ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (11件)
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