特許
J-GLOBAL ID:200903040806862298
ポジ型レジスト組成物
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-058732
公開番号(公開出願番号):特開2004-271629
出願日: 2003年03月05日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液には不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物を、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、5〜20質量%含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される繰り返し単位及び一般式(2)で表わされる繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂(A1)を含有し、
活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物(B)を、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、5〜20質量%含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F7/039
, C08F212/14
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, C08F212/14
, H01L21/30 502R
Fターム (37件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AB02R
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AB07R
, 4J100AJ02R
, 4J100AL03R
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA04Q
, 4J100BA05Q
, 4J100BA05R
, 4J100BA10R
, 4J100BA12Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC43Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
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化学大辞典, 19891020, 第1版, 第1361頁
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