特許
J-GLOBAL ID：200903058460636535

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
杉崎 太郎

杉崎 太郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047652
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049113
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。【解決手段】p型領域p1、n型領域n1、p型領域p2、およびn型領域n2がこの順に接して設けられた半導体層101と、両端部に配置されたp型領域p1に接続されたアノード電極Aと、n型領域n1に接続されたカソード電極K電極と、中央に配置されたp型領域p2に接続されたゲート電極G1,G2とを備えた半導体装置1において、ゲート電極は、p型領域p2を構成する半導体層101部分を挟んで対向配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型領域、第2導電型領域、第1導電型領域、および第2導電型領域がこの順に接して設けられた半導体層と、 両端部に配置された前記第1導電型領域と第2導電型領域とにそれぞれ接続された電極と、 中央に配置された前記第2導電型領域または前記第1導電型領域に接続されたゲート電極とを備えた半導体装置において、 前記ゲート電極は、前記第2導電型領域または第1導電型領域を構成する前記半導体層部分の複数面に設けられている ことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/749 ,  H01L 21/332 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11
FI (4件)：
H01L29/74 601A ,  H01L29/74 301 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381
Fターム (23件)：
5F005AC02 ,  5F005AE01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F005AH03 ,  5F005AH04 ,  5F005BA03 ,  5F005BB03 ,  5F083AD02 ,  5F083AD70 ,  5F083BS02 ,  5F083BS50 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33 ,  5F083PR37 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • US patents 6,462,359 B1
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM