特許
J-GLOBAL ID:200903058502412160
ラクトン化合物、ラクトン含有単量体、高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-266071
公開番号(公開出願番号):特開2006-076981
出願日: 2004年09月13日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】 本発明は、新規なラクトン化合物、ラクトン含有単量体、それを用いた高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】 一般式(1)で表されるラクトン含有単量体(式中、XはCH2、CH2CH2、O、S、NR1を示す。R1〜R4は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。そのアルキル基の水素の一部あるいは全部がフッ素原子に置換されてもよく、さらにアルキル基の一部に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素-炭素二重結合、カルボニル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基を含有する原子団を含んでもよい。R5は単結合、CH2、カルボニル基を表す。)。 【化1】 【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表されるラクトン化合物(式中、XはCH2、CH2CH2、O、S、NR1を示し、R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す。そのアルキル基の水素の一部あるいは全部がフッ素原子に置換されてもよく、さらにアルキル基の一部に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素-炭素二重結合、カルボニル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基を含有する原子団を含んでもよい。)。
IPC (4件):
C07D 311/94
, C08F 20/28
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (5件):
C07D311/94 101
, C07D311/94
, C08F20/28
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (33件):
2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025FA12
, 4C062HH69
, 4J100AL03S
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL24Q
, 4J100AR11S
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BB18R
, 4J100BB18S
, 4J100BC04R
, 4J100BC08R
, 4J100BC09Q
, 4J100BC53P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100JA38
引用特許: