半導体レーザ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127380
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】2回成長型半導体レーザを高歩留まりで提供する。【解決手段】活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層、前記第1導電型クラッド層よりも禁制帯幅が小さい活性層、前記活性層よりも禁制帯幅が大きい第2導電型インナークラッド層、第2導電型エッチングストッパ層、第2導電型アウタークラッド層をこの順に含み、前記第2導電型アウタークラッド層がメサストライプ状に加工された多層構造を有し、前記メサストライプの両側に電流ブロック層を有する半導体レーザにおいて、前記第2導電型エッチングストッパ層を歪補償構造としたことを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA13 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CA14 , 5F073CA15 , 5F073DA05 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

可視光レーザダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-310947 出願人：三菱電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-182889 出願人：ソニー株式会社
自励発振型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321637 出願人：日本電気株式会社

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