特許
J-GLOBAL ID：200903058794080830

半導体発光装置

発明者：
早川 利郎

早川 利郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119344
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077426
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 InGaN系半導体からなる活性層とストライプ構造とを有し、レーザ発振しない半導体発光素子を用いて、発光波長の変化を抑制できる半導体発光装置を得る。【解決手段】 InGaN系半導体からなる活性層とストライプ構造21とを有し、レーザ発振しない半導体発光素子20に対して、例えばミラー26およびコリメーターレンズ25からなり、半導体発光素子20から出射する光24Rを共振させる光共振器を組み合わせ、この光共振器に例えば狭帯域バンドパスフィルタ27からなる波長選択手段を設ける。
請求項（抜粋）：
InGaN系半導体からなる活性層とストライプ構造とを有し、レーザ発振しない半導体発光素子および、この半導体発光素子から出射する光を共振させる、波長選択手段を有する光共振器からなる半導体発光装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 M ,  H01L 33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA11 ,  5F041AA13 ,  5F041AA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB11 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (14件)
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